玄戒O100这个WoW近存思路，国内也有不少做的。
最出名的是前阵子的魏少军的东方算芯

简单点说，就是把DRAM叠在芯片下/上方，通过高密度互联，获取大带宽。

华为的tao定律也是采用这条封装路线。
差异点在于，这个主要是把DRAM和芯片封装在一起，实现更高速的访存带宽。而华为的tao，要复杂很多，把芯片的IP都重新组合了。

Wafer on Wafer的技术路线在国内相对成熟。在长江存储上，使用Wafer on Wafer的技术路线就已经能实现非常高的良率和非常小的间距，技术也相对成熟。

但问题也在这。
单颗芯片的内存容量可能受限。
如果走wafer on wafer的路线，上面叠多大面积的DRAM，那就是多大容量。
长鑫存储目前的水平大概能做到0.3 GB每平方毫米。如果这个芯片的面积是400平方毫米，那能堆在上面的DRAM容量，也就是15GB左右。和目前主流的超过100 GB的卡有着数量级的差距。要完整地装下一个模型，就需要更多的卡。