全宇宙最牛、地球表面最强,这些说法有点夸张了,怀疑这些人是反串的负资产。
第一代裸片Die面积109 mm²,晶体管190亿。
第二代裸片Die面积133 mm²,晶体管240亿。
面积涨22%,晶体管涨26%,也就是说是用面积堆性能!
优势在于更大Die带来更高并行算力、更大缓存、AI与图形性能大幅飞跃。
缺点在于硅片成本上升,单颗芯片良率压力变大,对手机散热、电源管理提出更高要求。
一句话,产量依然很少,想要的得抢!
发布于 贵州
全宇宙最牛、地球表面最强,这些说法有点夸张了,怀疑这些人是反串的负资产。
第一代裸片Die面积109 mm²,晶体管190亿。
第二代裸片Die面积133 mm²,晶体管240亿。
面积涨22%,晶体管涨26%,也就是说是用面积堆性能!
优势在于更大Die带来更高并行算力、更大缓存、AI与图形性能大幅飞跃。
缺点在于硅片成本上升,单颗芯片良率压力变大,对手机散热、电源管理提出更高要求。
一句话,产量依然很少,想要的得抢!