【大招落地！英特尔18A‑P工艺低压频率飙升30%】英特尔在Hot Chips大会上详细披露Intel 18A-P工艺的最新进展。该工艺还引入Power Boost全新双接触架构，额外增加两层顶部粗金属层，并改进晶圆键合层导热材料，在0.5V超低电压环境下主频较传统FinFET架构提升30%，运算速度提升约10%。
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