苹果以前在 NAND 上其实挺有意思，iPhone 6s、7 那会儿，小容量基本全是 MLC 的存储颗粒，当时 MLC 能做到设计 P/E 3000 次，同期 TLC 的设计 P/E 只有 900 次，容量越小，单位 NAND 承受的写入压力越大，所以当时苹果在小容量的设备用耐久度更高的颗粒。

后面苹果全面铺开 TLC 后，小容量开始用 iTLC，也就是工业级的 TLC，设计上的擦写次数会比普通 TLC 更高，像 iPhone 11、12 Pro、Apple Watch S7、A12Z iPad Pro 这些设备的小容量版本都能看到，这个阶段的 iTLC 能做到约 3000 次 P/E，同期高容量的苹果设备用的则是普通的 TLC，P/E 大概是 1000 次。

再往后 TLC 工艺成熟了，普通 TLC 本身也能做到 3000 次 P/E，既然普通 TLC 就能达到同样的耐久度，也就没必要再用成本更高的 iTLC 了，小容量设备就全部转向了 TLC 颗粒。

这次苹果在 iPhone 18 Pro 系列上再次出现了类似的情况，小容量设备上使用设计 P/E 更高的 TLC，大容量设备上使用成本更低的 QLC，前段时间看到普通电脑上的 QLC 1TB 硬盘都能做到 600TBW 了，粗略按容量折算下来相当于约 600 次 P/E。

配图来自 Device Lab 对设备进行 NAND 分析的数据。