【全球光刻技术迭代】
台积电 + ASML 官宣：推进High‑NA EUV 高 NA 极紫外光刻，核心是光罩从 6 英寸升级到12 英寸光罩；2031 年 12 英寸光罩试产线，2033 年高 NA EUV 量产；台积电 2030 年先进制程大规模导入高 NA 技术。
全球先进光刻技术迭代带来国产替代逻辑、光罩 / 光刻材料、精密零部件、先进制程设备方向
发布于 北京
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【全球光刻技术迭代】
台积电 + ASML 官宣：推进High‑NA EUV 高 NA 极紫外光刻，核心是光罩从 6 英寸升级到12 英寸光罩；2031 年 12 英寸光罩试产线，2033 年高 NA EUV 量产；台积电 2030 年先进制程大规模导入高 NA 技术。
全球先进光刻技术迭代带来国产替代逻辑、光罩 / 光刻材料、精密零部件、先进制程设备方向