2026年9月8日，全球光刻机巨头ASML同日宣布与三大半导体制造巨头-台积电（TSMC）、三星及英特尔扩大在高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV） 技术上的合作，并共同推动光罩技术从现行6吋标准向12吋升级，旨在提升生产效率并降低成本。此次合作标志着这项下一代光刻技术正式从研发走向大规模量产的新阶段。

根据公告，英特尔目前处于领先地位，其High-NA EUV技术已用于Intel 18A制程节点部分工艺层的量产（例如用于Core Ultra 3系列“Panther Lake”处理器），并已累计处理超过100万片晶圆。三星则计划于2028年业界首次将High-NA EUV技术用于DRAM内存的大规模生产，以期延长微缩路线、简化工艺。台积电计划从2030年起在先进逻辑制程的量产中导入High-NA EUV，初期将继续采用6吋光罩，并计划在2031年建立12吋光罩试产线，目标在2033年推动12吋High-NA EUV系统进入量产。

从6吋光罩转向12吋是此次合作的关键升级。业界使用6吋光罩已有数十年历史，但转向12吋光罩有望显著提升产能、降低单位成本，并消除当前所需的光罩拼接限制。这将为制造更复杂、更先进的AI芯片铺平道路。ASML与这些行业领导者的紧密合作，旨在共同定义新的标准并建设相应的生态系统，推动整个半导体行业向下一代技术演进。