长鑫 G5 量产，每片晶圆产出提升 50%|长鑫存储|g5平台|dram|lpddr5x

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长鑫存储在2026世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台正式量产。G5平台采用四重曝光技术，有源区半间距微缩至11.95纳米，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%。基于该平台的两款LPDDR5X产品单颗容量24Gb，已进入规模量产。