长鑫 DRAM 第五代量产，半间距 11.95 纳米，产出提升超 50%|长鑫|dram|第五代技术平台|四重曝光技术_新浪新闻

白泽观山海

26-09-20 19:23 微博认证：数码博主

长鑫DRAM第五代技术平台量产，采用四重曝光技术，内存阵列有源区半间距达11.95 纳米，单晶圆裸片产出较上代提升超 50%，已达到世界先进水平。

发布于贵州