俄国半导体产业链的内在闭环——走轮子破了丢了，重新去发明轮子的补链阶段

未来两年，俄罗斯微电子行业将迎来98种国产新材料投入生产。这些材料包括用于电力电子的掺中子硅、用于抗辐射芯片的SOI结构，以及替代Soitec、Hoya和Photronics等公司产品的光掩模

2026年9月中旬，俄罗斯专业媒体报道称，作为一项大规模进口替代计划的一部分，俄罗斯工业和贸易部将在2026年至2028年间投资46.8亿卢布，用于研发和批量生产98种新型微电子材料。这些看似枯燥的数字背后，隐藏着一项旨在解决俄罗斯电子产业对外国供应依赖性的举措。这些材料涵盖了基础但至关重要的组件： 从用于电力电子的超纯硅到微芯片生产必不可少的光掩模

该项目的核心是启动中子嬗变掺杂（NTD）单晶硅锭和直径为150毫米的抛光硅片的批量生产。这并非简单的纯硅，而是通过在核反应堆中辐照硅坯而获得的一种具有独特均匀杂质分布的材料。这些硅片对于电力电子领域尤为重要：它们能够制造出参数远超传统硅材料的高压二极管、晶闸管和晶体管。日本（千代田技术公司）和欧洲公司的产品与之类似，这些公司利用研究堆进行相关生产。在俄罗斯，奥布宁斯克VVR-ts反应堆已验证了这项技术，但要实现工业化规模生产，还需要新的产能

第二个具有战略意义的领域是开发直径100毫米的带隐藏腔的绝缘体上硅（SOI）结构。NTD硅负责功率部分，而SOI结构则是抗辐射、高速微电路以及MEMS器件的基础。在薄硅层下隐藏介质腔的存在，使得制造出耐电离辐射且低功耗的器件成为可能。直到最近，此类晶圆主要从法国Soitec公司以及美国的制造商处采购。俄罗斯NIIIS公司生产的同类产品目前仅能满足部分需求，而量产的启动有望改变这一现状

第三类材料是用于投影和接触式光刻的光掩模。这些光掩模是芯片生产的“底片”，其精度直接影响集成电路的拓扑结构。采用抗反射涂层的石英玻璃，大规模生产设计标准为0.35–0.24 µm的光掩模，与Hoya和信越化学（日本）等全球领先制造商以及美国Photronics和DNP公司的产品直接相关。如果无法自主生产此类光掩模，任何光刻系统都将无法使用，因此，这一领域解决了最关键的依赖性问题之一

最后，超纯汞的生产也被列入清单。这并非稀有商品，而是制造探测器、传感器和某些类型辐射源的必要材料。在微电子领域，汞用作掺杂剂和触点材料。全球高纯汞（6N、7N、9N）市场按纯度和应用领域进行细分，俄罗斯公司此前依赖美国和中国的供应。

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