#长鑫科技官宣投建两大新项目##长鑫科技拟斥资349亿投建新项目#【拟合计斥资349‬亿元！长鑫科技官宣投建两大新项目】《科创板日报》9月28日讯，长鑫科技宣布新的研发及扩产项目投资。

长鑫科技9月28日晚间发布公告，拟使用超募资金人民币130亿元，投资新建技术研发项目；同时该公司拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（下称“长鑫产品合肥”）提供超募资金人民币50亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

其中，技术研发项目的规划总投资金额达241亿元，建设周期30个月；后道测试基地二期项目的规划总投资额为108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。

长鑫科技表示，构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。面对如此复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。

因此，该公司拟通过实施超募项目，开展技术研发工作，在保持公司技术领先性的同时，有利于公司更快的推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。（记者 郭辉） http://t.cn/AXWflLFk