SemiAnalysis推文纪要总结

仅产业信息整理，不构成投资建议

一、光子芯片制造：纳米压印光刻NIL技术

1. 现状：电子束光刻（EBL）是当前PIC光子芯片主流工艺
电子束光刻精度高、图案灵活，不用做掩模；但致命短板是吞吐量极低，需要逐点扫描晶圆，适合小批量光子芯片生产，无法满足大规模量产。

2. EVG主推纳米压印光刻NIL，瞄准光子芯片大规模制造
适合光栅耦合器、微透镜阵列、DFB激光光栅这类周期性光子结构。

• 原理：先用电子束光刻制作母模具，再把图案压印到多片晶圆；兼顾接近电子束的分辨率，同时大幅提升产能。

• 现存瓶颈：晶圆与模具高精度对准、晶圆表面必须高度平整；模具磨损老化，会降低良率，制约量产。

3. 背景：光通信PIC光子集成芯片，过去产量不大，没有动力切换光学/纳米压印；随着AI光模块放量，大规模制造需求出现，NIL技术重要性提升。

二、OpenAI GPT6.1 Sol Ultrafast重要信息

市场此前传闻该模型跑在Cerebras芯片上，实际该模型目前是在英伟达GPU上运行（低批处理规模），Cerebras暂时并未承载这套模型，市场对Cerebras的预期需要修正。