【突破壁垒！#长鑫新架构落地在即#，#长鑫发力高端服务器内存市场#】@第一财经日报 记者了解到，长鑫科技（688825.SH）的核心子公司长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上透露了一项新的DRAM（动态随机存取存储器）技术进展。曹堪宇介绍了名为4F²的DRAM架构，并表示长鑫存储预计年底将推出采用这项技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

曹堪宇表示，该架构在DRAM存储阵列晶体管上进行了创新，VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管采用垂直包围沟道结构，以实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，竖立的晶体管有助于面积微缩，提升存储密度。

DRAM行业正朝着存储密度更大的方向发展。DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。F（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。4F²代表每个单元占4倍最小特征尺寸的平方。而目前DRAM行业内主流的架构是6F²。从6F²走向4F²，单位面积内晶体管数量增多，存储密度有所提升。http://t.cn/AXlqGUys http://t.cn/AXlqGtuW