#格芯FDXFusion：不靠EUV做7nm级性能#
IT时代网11月7日消息，在放弃7nm FinFET开发八年后，格芯准备以另一条路径重返7nm级性能。其FDX Fusion工艺基于全耗尽绝缘体上硅技术，用先进平面晶体管实现7nm级性能，不需要极紫外光刻。
格芯FD-SOI业务部门副总裁Sudipto Bose介绍，FDX Fusion的逻辑密度为每平方毫米1400万个门，与当前业界8nm标准相当，换算约为每平方毫米5600万个晶体管。该工艺采用深紫外光刻，关键层预计需要多重曝光。
与现有FDX世代相比，FDX Fusion的fT/fmax提升至500GHz，有助于连接类应用、汽车雷达以及数据中心内部的信号链路；数字门密度为22FDX与22FDX+的2.2倍，同时保留自适应体偏能力，并增加多种嵌入式非易失存储与SRAM方案。
Bose表示，传统7nm、6nm节点需要EUV设备，掩膜版与工具链成本高昂；FDX Fusion不使用EUV且基于平面工艺，因此可以提供更有竞争力的掩膜版价格，在交付周期与生产布点上也有更大灵活性，代价是晶体管密度明显低于真正的7nm节点。
格芯计划2028年进入商业化生产，2030年实现大规模量产。目标应用包括Wi-Fi、蓝牙、蜂窝与卫星连接芯片，边缘AI的MCU，汽车雷达，以及数据中心中的跨阻放大器与时钟恢复电路。目前已有九十余家客户在其现有FDX工艺上量产。