以钼代钨：NAND钼用量将快速增长

SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证，并正准备将其量产线转移至清州M15工厂。该产品计划在今年年底前正式量产。

此次迭代最大的技术亮点，在于使用钼材料替代传统钨材料制作字线。在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度。

其实钼和钨都属于难熔金属，耐高温、导电性好，一直是半导体芯片制造的关键材料。过去很长一段时间，钨凭借成熟的工艺和稳定的性能，牢牢占据着3D NAND闪存字线材料的主导地位。字线作为存储芯片里连接控制栅极的核心控制线，直接决定芯片的传输速度和集成密度，重要性不言而喻 。但随着存储技术不断升级，3D NAND堆叠层数从100多层涨到300多层，甚至朝着400层、600层迈进，钨的短板彻底暴露了 。

简单说，堆叠层数越高，字线就要做得越细。钨在线路细化后，电阻会急剧上升，不仅拖慢信号传输速度，还会增加芯片功耗。更麻烦的是，钨在加工时必须额外铺设一层阻挡辅助层，层层堆叠后会挤占大量空间，严重影响芯片的集成密度，这对追求更小体积、更大容量的存储芯片来说，简直是致命缺陷。而钼的出现，刚好完美解决了这些痛点，成了超高堆叠层数NAND的“最优解”。

钼的优势到底有多明显？咱们用大白话讲清楚。同等细微尺寸下，钼的电阻比钨低不少，7纳米厚度时导电性甚至优于钨40%，能大幅提升芯片信号传输效率和读写性能。而且钼不需要额外铺设阻挡层，直接就能沉积使用，既能简化生产工序、降低成本，又能节省芯片内部空间，让存储单元堆叠得更紧密，芯片容量更大、体积更小。

由于这些优势，全球存储巨头纷纷加速“以钼代钨”的落地。SK海力士已经完成375层3D NAND闪存的量产验证，今年年底前就要正式量产，这款产品最大的亮点就是用钼替代钨制作字线。三星也不甘落后，在第9代V-NAND工艺中全面应用钼材料，还专门引进多台钼沉积设备，后续计划继续加码设备投入。行业都清楚，这两家巨头的动作，基本就是全球存储技术的风向标，其他厂商大概率会跟进效仿。

概念股：

金钼股份，云南锗业，永兴材料，华锡有色，厦门钨业。

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