最新消息：GPU供电痛点已解决！我国研制出三维片上电容，AI芯片能量缓冲大突破，半导体的新风口来了……

消息上：

我们成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法，可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。该技术正在进行工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域规模化应用。电容在电路中起到稳定电压的“能量缓冲”作用，类似于算力系统的“电RAM”。

这一技术的突破，能有效平抑芯片瞬时电压波动，相当于为GPU/CPU配备“能量缓冲”。这必然提升高算力芯片供电稳定性，降低功耗损耗，助力AI训练、高性能计算摆脱供电瓶颈，推动国产高端芯片及先进封装技术自主可控。

三维多层片上电容直接应用于先进封装，提升GPU/CPU供电稳定性，将带动封装厂技术升级，利好先进。

高密度电容需要高介电材料，利好材料供应商。

电容技术突破必然会运用于国产AI芯片公司，为其提供高算力低功耗支撑，加速国产替代，有利于AI芯片。