【我国成功研制出三维多层片上电容 可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片】 湖北江城实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。电容本质是超微缩“蓄水池”，能在芯片电流波动时充放电平抑电压，确保电流纯净稳定；也被喻为“电RAM”，是算力的能量缓冲，可在GPU瞬时满功率时通过多级电力缓存接力供电。
详情：http://t.cn/AXa4hc9J