电阻直降40%！375层NAND量产突破，以钼代钨引爆半导体新材料主线
半导体高纯钼、钨、钽、钴、铜、钛等难熔金属，是AI算力芯片、3D NAND闪存、HBM高带宽内存制造核心关键材料，可突破芯片物理极限、降低功耗、提升传输性能。
发布于 湖南
连板一姐2026
电阻直降40%！375层NAND量产突破，以钼代钨引爆半导体新材料主线
半导体高纯钼、钨、钽、钴、铜、钛等难熔金属，是AI算力芯片、3D NAND闪存、HBM高带宽内存制造核心关键材料，可突破芯片物理极限、降低功耗、提升传输性能。