补上AI芯片供电短板！国产三维电容重大突破

湖北江城实验室取得关键进展，成功研制三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法，可直接用于AI/GPU、高端处理器。

算力供电不稳=性能掉链子。电容就像芯片的“能量蓄水池”“电RAM”，GPU瞬时满负荷时，全靠它纳秒级稳压护航。

传统平面电容容量有限，国产三维电容结构更优、稳压能力大幅提升，有望缓解高端芯片无源器件短板，推进先进封装规模化应用。
这是是实打实的技术落地，为高算力、低功耗芯片提供关键支撑。