【#SK海力士下一代NAND年底前量产#】
据韩媒报道，SK海力士下一代3D NAND闪存V10将采用375层堆叠设计，目前已完成生产验证，准备量产转移，目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。
报道称，SK海力士原计划在V10世代采用400层堆叠，因量产技术难度较大最终选择375层设计。公司未来还规划了480层、604层3D NAND产品。技术层面，V10在金属布线层中将部分字线材料从钨替换为钼，钼具有更低电阻和更好填充性能，沉积工艺中则采用成本更具优势的TEL炉式设备。（IT之家）