重磅实锤！SK海力士官宣钼代钨，存储材料革命已至

2026年6月11日，韩国权威科技媒体TheElec独家披露：SK海力士已完成375层3D NAND生产验证，将于年底在清州M15厂量产，核心突破是字线材料全面以钼代钨。这是继三星2024年286层NAND导入钼材后，全球存储行业正式确立超高堆叠NAND的“钼代钨”路线，消息经科创板日报、芯智讯等权威媒体转载，真实性毋庸置疑。

一、替代核心：300层以上NAND的物理极限突破

3D NAND堆叠层数突破300层后，传统钨材字线暴露致命短板：线路微缩至20nm以下时电阻急剧飙升，导致读写速度变慢、功耗攀升；且钨需额外添加氮化钛阻挡层，375层堆叠后挤占近1/5空间，严重制约芯片密度提升。

钼的优势完美适配超高层需求：电阻率较钨低30%-50%，可实现读写速度提升30%、功耗降低40%；无需阻挡层，直接填充大幅提升存储密度，是400-600层NAND的唯一可行方案。此次替代绝非技术试错，而是行业突破物理瓶颈的必然选择。

二、A股两大核心卡位公司（高纯钼靶）

1. 隆华科技（300263）

国内半导体高纯钼靶绝对龙头，子公司四丰电子、丰联科为工信部钼靶单项冠军，国内市占超50%、全球第二。6N级高纯钼靶稳定量产，已批量供货三星286层NAND，SK海力士375层产线认证进入尾声，年底量产即批量交付，同时绑定长江存储，深度受益国内存储扩产 。

2. 有研新材（600206）

央企平台技术壁垒深厚，子公司有研亿金具备6N级12寸钼靶完整产能，已通过三星、SK海力士双重认证并小批量供货 。原有钨靶深度绑定长江存储、长鑫存储，可无缝切换钼材订单，技术储备覆盖存储、逻辑先进制程，长期成长确定性强 。

三、结语

SK海力士钼代钨量产落地，标志着存储材料革命从实验室迈入规模化阶段，钼材正式成为300层以上NAND的核心材料。A股市场中，隆华科技、有研新材凭借技术与客户壁垒，成为直接受益的两大卡位标的，后续伴随三星、美光及长江存储加速导入，行业有望迎来量价齐升的高景气周期。

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