【钨退钼进，势不可挡？】 SK海力士375层3D NAND年底量产，首次用钼代替钨作字线金属栅极。钨在300+层NAND触物理极限，钼因纳米尺度电阻率稳定、无需阻挡层、适配ALD工艺成核心材料。三星、美光等巨头已布局，钼需求快速增长，应用扩展至DRAM（尤其是HBM）及逻辑芯片。产业链中海外企业主导高端材料，国内有国产替代机会，但面临提纯、前驱体制备、产线改造等挑战。钼是当前材料革命核心，未来钌等新材料仍具潜力。
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