【存储材料革命来袭！SK海力士改用钼替代钨 钼需求迎来大爆发】近日SK海力士宣布，其375层第10代3D NAND闪存已完成生产验证，计划年底在清州M15工厂启动量产。这款产品最初规划为400层，因工艺难度有所下调，但真正的突破在于：字线金属栅极首次用钼取代了沿用十余年的钨。钼并非首次登上半导体舞台。早在2024年4月，三星量产的286层产品中就已率先引入钼，其第十代400层以上产品定于2026年下半年面世。美光则在NAND与DRAM双线布局。

国金证券研报指出，全球存储巨头不约而同的材料转向，释放出清晰信号：钼正从边缘辅料逆袭为半导体核心战略材料，其价格有望受益于高端制造与能化需求的共振。中信证券近期判断，在基建落地与新能源金属需求分化的背景下，钼、钨等供给刚性强、下游确定性高的品种，价格中枢有望温和上移。