存储芯片材料大迁移会影响存储芯片价格吗
这场材料大迁移，对存储芯片价格的影响不是简单的“涨”或“跌”，而是不同力量博弈下的复杂走势。从成本、供需到企业策略，三个维度给出了不同的答案，最终叠加出的结果，才是价格的真实走向。
从成本视角看：材料切换有明确的降本潜力
存储芯片的材料迁移，核心是“钨退钼进”。传统3D NAND闪存的字线（控制存储单元的金属线）长期使用钨，但当堆叠层数突破300层后，钨的物理瓶颈彻底暴露：电阻率随线宽缩小急剧上升，还需额外铺设阻挡层，挤占珍贵的垂直空间。
钼凭借更低电阻率和无需阻挡层的特性，成了300层以上高端制程的最优解。
从原材料成本看，这一换是有利可图的。2026年钨粉价格从2025年初的315元/公斤一度飙升至2350元/公斤，涨幅超过646%；而同期钼粉成本仅为钨的1/4至1/3。据央广网测算，以钼代钨可让原材料成本降低约75%。不过，这一降本潜力中短期难以完全兑现。
切换初期，设备改造（如SK海力士改造清州M15工厂产线而非新建）和工艺良率爬坡均会产生摊销成本。行业专家预计，只有经过规模化量产后，整体制造成本才有望实现**15-20%**的下降。
从供需视角看：AI需求与供给刚性才是价格推手
材料迁移发生在存储行业历史上最特殊的上行周期中。摩根士丹利将本轮涨价称为“芯片通胀”（chipflation）：AI需求正重新定价数字经济的关键投入。
与成本视角的“降本”逻辑相反，供需视角指向持续的涨价压力。2026年二季度，DRAM和NAND合约价环比涨幅分别高达64%和60%。
核心推力来自供给端刚性：存储新产能从建设到释放需18-24个月，而AI需求——2026年AI服务器预计消耗全球近2/3的DRAM产能——来的太快太猛了。
尽管国产厂商在利基市场寻求替代机会，但国际巨头70%新增产能投向HBM等高毛利领域，传统消费级存储（如MLC NAND）因产能收紧价格已暴涨300%。
机构对价格拐点产生分歧：摩根大通认为超级周期延续至2027年后，雷蒙詹姆斯则预测DRAM与NAND均价或于2026年中见顶，核心分歧在于对中国厂商扩产速度和AI需求增速的判断。
从企业策略视角看：定价权分化加剧价格结构性差异
国际巨头正在利用材料迁移的窗口期重塑定价体系。它们通过长期协议锁定高端客户——微软、谷歌等云巨头已确保全球约2/3的服务器DRAM供应。
这种分配机制下，弱势买家只能面对更高价格和更长交期，如美格智能就通过战略备货并向车载、5G产品价格调整的方式传导成本。国产厂商则在技术跟进和填补市场空白中寻求错位机会，但短期内难以撼动定价权。
整合判断：
材料大迁移不是简单的成本事件，它是存储产业“技术转型+需求重构+供给刚性”三重力量叠加的缩影。短期看，AI引发的供需失衡是价格上行的主导力量，材料切换带来的成本优化尚在起步阶段；若钨价持续高位，切换可缓解部分成本压力，但不足以逆转由供需结构错配决定的涨价趋势。
长期看，国产厂商的技术跟进速度和AI需求的边际变化，将共同决定价格拐点的到来。消费者面对的是价格结构性分化：HBM、服务器DRAM等高端场域价格被长协锁定且持续高位，而消失的MLC等老产品则因稀缺而被市场重新定价。
信息来源于网络仅供参考