Intel 18A-P 工艺最新进展：

作为Intel 18A系列的首个性能增强版本，现已进入风险试产阶段

● 与Intel 18A相比，Intel 18A-P在相同功耗下性能可提升9%，或在相同性能下功耗可降低18%，同时具备增强的热特性，在芯片设计上也更灵活。

● 新增Power Boost能效增强技术，这是Intel 18A-P的全新双接触、低电阻晶体管方案，可在不增加电容的情况下提升驱动电流，并实现更高的运行频率。

● 通过材料和设计创新，热阻降低了20%-40%。

● 利用几何和材料优化，过孔电阻（指芯片各层之间的垂直连接）降低了10%-30%。

● 通过应变工程提升PMOS的迁移率，使电流更高效地通过晶体管。

● 新增低功耗与高性能晶体管选项。

● 在ULVT和LVT之间新增第五组Vt（逻辑阈值电压）选项，为芯片设计人员提供平衡速度与功耗的额外选择。

● Intel 18A-P与Intel 18A的设计规则完全兼容，可便捷复用现有IP和设计流程。

● 与Intel 18A相同，Intel 18A-P提供两种单元高度（180nm和160nm），接触栅极间距（Contacted Poly Pitch）为50nm。