【#三星电子突破垂直堆叠非存储芯片技术# 】#三星电子##逻辑半导体#

三星电子正加速下一代半导体的发展，将垂直堆叠技术应用于逻辑半导体（系统半导体）领域。三星电子于6月17日宣布，其半导体研发中心的研究人员首次在全球范围内实现了栅极间距为42nm的三维（3D）堆叠晶体管结构。该研究成果近期在日本京都举行的“#2026 VLSI研讨会#”上荣获最佳论文奖。
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