【英特尔拿出挑战台积电的新筹码：#英特尔18AP制程进入风险试产#】#英特尔18AP制程同性能可降18%功耗#在全球芯片制造竞争加速向2纳米时代迈进之际，英特尔希望向市场证明，它仍然有能力站在全球半导体制造技术的最前沿。

当地时间6月16日，在2026年VLSI（（超大规模集成电路））国际研讨会上，英特尔披露，先进制程节点Intel 18A-P正式进入风险试产（Risk Production）阶段。

英特尔最新披露，借助Intel 18A制程节点，英特尔代工已经将全环绕栅极（GAA）晶体管和背面供电（BSPD）技术推向市场。面向未来的逻辑芯片设计。

英特尔代工副总裁兼英特尔院士Eric Karl表示，这些技术与同类正面互连技术相比，可减少11%的布线面积，并将动态压降幅度缩小10倍，从而实现高达6%的频率提升或超过15%的动态功耗降低。值得注意的是，相较于18A基础版本，18A-P可在相同功耗下实现9%的性能提升，或在相同性能下降低18%的功耗。http://t.cn/AXaYb0zm