三星电子正在为下一代DRAM量产做准备，其第七代10nm级DRAM，也就是1d DRAM，量产计划正在逐渐明朗。根据业界消息，三星目前正与多家合作伙伴联合开发相关生产设备，目标是在明年上半年启动量产准备工作，并计划最早于明年第二季度导入量产设备。

1d DRAM属于第七代10nm级DRAM产品，电路线宽预计在10至11纳米之间。目前已经量产的第六代10nm级DRAM，也就是1c DRAM，其线宽约为11至12纳米。随着线宽进一步缩小，DRAM的性能、功耗和存储密度都将得到提升。

据了解，三星电子目前已经完成部分1d DRAM样品生产，并持续进行量产验证工作。此前市场一度预测三星可能在今年启动1d DRAM量产，但业内认为这一时间点并不现实，因为用于1d DRAM生产的关键设备仍处于开发阶段。

消息人士透露，三星与设备供应商讨论的目标是在明年第二季度导入1d DRAM量产设备。考虑到设备安装、工艺调试以及良率爬坡所需时间，真正实现初期量产最快也要到明年下半年。

半导体行业相关人士表示，三星目前正积极与主要合作伙伴推进研发工作，以提升1d DRAM的良率和性能表现。虽然具体时间表仍存在调整空间，但整体目标是在明年第二季度或第三季度完成量产设备导入。另一位业内人士则表示，三星1d DRAM的开发进度相对领先，预计明年具备量产条件，相关计划有望在今年年底进一步明确。

对于三星来说，1d DRAM的重要性不仅体现在常规内存市场，更关系到未来AI内存业务的发展。尤其是在高带宽内存领域，1d DRAM预计将成为2029年前后商业化的第九代HBM（HBM5E）的核心基础芯片，对三星未来AI服务器市场竞争力具有重要意义。

很多人看到DRAM新闻里的1x、1y、1z、1a、1b、1c、1d会觉得有点懵，其实这只是内存行业对不同工艺世代的命名方式。它们的顺序依次为1x→1y→1z→1a→1b→1c→1d，每往后推进一代，代表DRAM的特征尺寸进一步缩小，存储密度更高、功耗更低、性能更好。其中1x大约对应20nm级，1y约18nm级，1z约15nm级，而目前主流的1c已经进入11至12nm级别，三星正在推进的1d则首次逼近10nm门槛。很多新闻里提到的“第七代10nm级DRAM”，其实就是从1x开始计算的第七代产品，也就是1d DRAM。对于普通消费者来说，只需要记住一点：数字和字母越靠后，通常意味着这代内存越先进。