【三星全球首发3D堆叠逻辑晶体管：42nm栅极间距、密度翻倍】三星全球首次宣布实现栅极间距42nm的3D堆叠场效应晶体管技术，上下堆叠N/P型晶体管，同面积可容纳双倍器件，性能功耗理论上实现翻倍，后续将落地AI和高性能计算相关芯片。
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【三星全球首发3D堆叠逻辑晶体管：42nm栅极间距、密度翻倍】三星全球首次宣布实现栅极间距42nm的3D堆叠场效应晶体管技术，上下堆叠N/P型晶体管，同面积可容纳双倍器件，性能功耗理论上实现翻倍，后续将落地AI和高性能计算相关芯片。