转发一篇专业报道：SemiAnalysis机构，做了9030系的拆解

他们认为9030系的工艺，是“很强 但很费劲”的DUV FinFET节点，代价是工艺复杂、成本高、良率/变异/设计生态压力大，确实是把DUV榨到极限的国产先进工艺。

未来两代先进工艺的预判：下一代 继续缩尺寸，追上5nm密度，达到137.8MTr/mm²，但做起来很痛苦；下下一代 必须换背面供电新架构，成本依然会比较高，预计能达到163.6MTr/mm²...