【应对高深宽比 3D 器件制造挑战：应用材料推出氮化硅 ALD 与钼蚀刻设备】两者相结合可精准控制介电薄膜的最终效果，提升器件表现并改善可制造性。
IT之家
【应对高深宽比 3D 器件制造挑战：应用材料推出氮化硅 ALD 与钼蚀刻设备】两者相结合可精准控制介电薄膜的最终效果，提升器件表现并改善可制造性。