【非易失存储新标杆！三星全球首款5nm MRAM研发成果亮相】三星电子在2026年度IEEE VLSI研讨会上，首次公开展示了全球首款5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。与DRAM相比，MRAM在运行速度、使用寿命和量产可行性方面均具显著优势。
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【非易失存储新标杆！三星全球首款5nm MRAM研发成果亮相】三星电子在2026年度IEEE VLSI研讨会上，首次公开展示了全球首款5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。与DRAM相比，MRAM在运行速度、使用寿命和量产可行性方面均具显著优势。