【国产3D DRAM新突破！中科院微电子所实现4层堆叠IGZO存储】中科院微电子所联合北京超弦存储器团队，在IGZO 2T0C 3D DRAM领域取得重要突破，首次实现4层堆叠3D 2T0C存储单元，读写与密度表现优异，相关研究成果已被VLSI 2026收录。
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【国产3D DRAM新突破！中科院微电子所实现4层堆叠IGZO存储】中科院微电子所联合北京超弦存储器团队，在IGZO 2T0C 3D DRAM领域取得重要突破，首次实现4层堆叠3D 2T0C存储单元，读写与密度表现优异，相关研究成果已被VLSI 2026收录。