全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出650V耐压第4代IGBT*1，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)＝1.55V，同时具备出色的短路耐受能力*²，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*³。

该产品通过改善工艺以及包括外围结构在内的器件结构，提高了电流密度，同时降低了导通损耗和开关损耗。而且，与低损耗特性之间存在权衡关系的高短路耐受能力在Tj=25℃时也可达到7微秒（μs）。因此，新产品非常有助于应用产品进一步提高效率和可靠性。

产品阵容包括采用TO-247N封装的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”12个型号和裸芯片形式的“SG83xxWN”10个型号。另外，ROHM也正在开发TO-247-4L封装的“RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR”12个型号的产品。

本系列产品已于2026年5月起以月产100万个的规模投入量产（样品价格1,300日元/个，不含税）。TO-247N封装产品也支持网售。此外，ROHM还提供各种设计模型和电路设计所需的资料，用户可从ROHM官网下载。

ROHM计划今后进一步扩展同一封装形式的型号阵容，并开发采用TO-263L封装和顶部散热（TSC：Top-Side Cooling）封装的小型且可表面贴装的IGBT产品。致力于通过扩充高性能的IGBT产品阵容，助力汽车和工业设备应用实现高效驱动及小型化。

＜开发背景＞

随着电动汽车向更高电压方向发展，在主驱逆变器等大功率应用中，高效SiC器件加速普及；而在车载电动压缩机、HV加热器等功率容量较小的辅助设备中，则广泛采用650V耐压的IGBT作为开关器件。另外，在工业设备领域，以电机和压缩机等为主的应用中也广泛采用硅基IGBT，预计未来相应的需求将持续增长。

这类应用需要更节能和更小的外壳尺寸，同时对功率器件也有提高可靠性、更小型、更高效的强烈需求。特别是对于变频器和加热器电路而言，在短路时从检测到过电流到切断电流的时间内的短路耐受能力至关重要。在这种背景下，ROHM通过器件结构等的改进，开发出既支持高电压，又同时实现了低损耗特性和出色短路耐受能力的第4代IGBT。

＜产品阵容＞
分立产品
裸芯片产品

＜应用示例＞
◇车载电动压缩机
◇车载HV加热器（PTC加热器，冷却液加热器）
◇工业设备用变频器