我来给京东方和深天马提一个股价乘100的好主意：用tft工艺做maskrom。[哈哈]

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内存的主流die size是7x7mm，线宽20nm，当前tft主流线宽是2微米，是20nm的一百倍，意味着平面器件面积是1万倍。

当然这个就太大了。单片内存被放大到对角线40寸的正方形电视屏幕水平。但是有以下几点：

第一，2微米是因为目前的tft面板开口率可以了，没有继续做小的动力，不是做不到更小。削微努努力下探一个数量级是很容易的。如果不是40寸而是4寸，以tft的单位面积成本考虑，这把半导体工艺按在地上摩擦。

第二，tft面板的缺陷率当然是远超cmos工艺的，但是，我们的目标并不是做dram，而是做mask rom，这就比较绝了因为就算有不少地方出现了坏器件，甚至整行整列的完蛋，但是接口控制器上可以有errata啊，放一块小容量的nand加sram做errata完全是OK的。

第三，产能和成本。就算是die size比ddr大了一万倍，因为工艺简单，尤其是扩产极其容易，国产光刻机哐哐上，根本不用等那个一年踹不出几个屁的asml。

于是新时代的内存条成了pcb上贴着大面积玻璃的只读maskrom，主打一个便宜。

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只要京东方和深天马成立研发小组开动上述计划，媒体上知会大家一下，股价乘100是最少的。这玩意研发周期6个月都不用。以6个月为周期迭代。绝对可以让镁光和海力士和三星的新工厂在投产之前下马，如果成了的话。