【高带宽闪存：用移动存储解决AI存储痛点】大语言模型（LLM）需要海量内存支撑，使用规模越大，内存消耗就越高。各大存储芯片厂商纷纷加速新建存储晶圆厂，主攻高带宽内存（HBM）与DRAM产品，首座新厂房预计2027年投产。不过，存储市场的巨大需求，也为新型存储技术提供了落地生根的机会。

高带宽闪存（HBF）便是代表性新技术，它是SD卡、U盘所用闪存的升级改良方案。该技术核心是借鉴高带宽内存（HBM）的成熟设计思路 —— 通过多层芯片堆叠提升容量与带宽，并将这套方案运用在NAND闪存上；NAND闪存广泛应用于SD卡、U盘、智能手机等各类设备的数据存储。

“人们总问：‘这到底有什么意义？闪存速度慢得离谱啊，’”半导体市场研究机构Objective Analysis的总经理Jim Handy表示。他解释道，尽管NAND闪存普遍存在带宽不足的问题，但高带宽闪存（HBF）将有效缓解这一痛点。“闪存的写入速度确实慢得糟糕，但读取性能可以通过技术调校达到相当快的水平。高带宽闪存正是要针对性优化读取能力。”什么是高带宽闪存？ 详细内容请见文章：http://t.cn/AXKEnT6G