打破日本7年垄断！中国6英寸氧化镓同质外延线全球率先量产，领先3年
​过去十年，氧化镓单晶衬底几乎被日本NCT、FLOSFIA牢牢锁死：2英寸、4英寸衬底天价供货，6英寸样品拖到2026年才送样，量产计划排到2029年。
日本依靠VB法、HVPE外延长期占据先发优势，早期2英寸外延片进口价高达数万元，国内企业根本不敢大批量研发试产。
中国最新突破进度（截至2026年7月）：
1️⃣ 杭州镓仁半导体全球首条兼容6/8英寸同质外延量产线投产，依托浙大杨德仁院士团队铸造法长晶，大幅减少贵金属铱消耗，单片衬底成本下降超80%
2️⃣ 首批6英寸（100）面氧化镓晶圆已交付国内头部芯片厂试样，海外机构同步下单，进入稳定商业化供货阶段
3️⃣ 4英寸衬底多家企业实现良率爬坡，8英寸工艺验证完成预留扩产空间，设备复用现有硅产线，不用从零建线
从“卡脖子送样”到“全球首家稳定量产6英寸”，中国在四代半导体最上游材料环节实现弯道超车。未来2–3年，车载逆变器、光伏储能、特高压电网将迎来国产氧化镓芯片的爆发期。
为中国半导体科研团队点赞！你看好氧化镓未来在新能源车领域的应用吗？
本文仅产业科普，不构成任何投资建议。
人形机器人算力、高压驱动、散热全部依赖超宽禁带半导体材料。