【#三星扩大英伟达NAND供应合作#】#三星完成内部产能结构重塑#7月22日消息，据媒体报道，继DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作之后，三星电子与英伟达的合作版图进一步延伸至NAND闪存领域，双方在存储供应链上的绑定进入全新阶段。三星以“量产V9、上量V10、试产V11”三代并行布局，将核心闪存产能向AI赛道倾斜。此次合作的直接驱动力来自英伟达即将推出的上下文存储平台CMX（Context Memory Storage）。业界预计，CMX对NAND的需求将从2026年的3500万TB跃升至2027年超1亿TB。为匹配这一海量需求，三星已完成内部产能结构重塑。目前，三星月产V-NAND超过10万片晶圆，其中约60%产能分配给V9产品，V9闪存良率稳定在80%以上，进入量产成熟期。（快科技）@万维视频