成一虫
26-07-25 16:44 微博认证:历史博主

网上传言,国内某大厂希望长鑫别涨价,被拒绝。

这很正常。几周前苹果也求镁光别涨价,被拒。内存报价三季度可能环比涨价15-20%左右。

内存是这轮AI基建涨价最多的,最高据说500%多,为什么?

DRAM与闪存工厂非常集中。韩国两个(三星,海力士),台湾两个(相对小,南亚等),日本铠侠(美国闪迪占近一半股权,一半产能),美国美光,大陆武汉长江存储(闪存)、合肥长鑫与福建晋华(DRAM,后者很小)。

DRAM、闪存大厂大约分别只有四五个。

然后一两个小工厂,没了。

HBM更少,目前就是三家,海力士镁光三星。看看国产年底能不能商业使用。

与光纤、光模块、GPU设计、液冷、服务器组装、电路板等等动不动十几家、几十家公司竞争不一样,DRAM与闪存的工厂太少了。

为什么少?投资非常大,专利壁垒太高。

DRAM与闪存它们两个的生产线投资非常大,类似中芯国际这样的逻辑芯片代工厂(非逻辑芯片代工厂,比如普通电源芯片、显示驱动芯片、功率芯片等,国内已经建成与在建相当多了,两三年后,中低端产品可能产能过剩)。

芯片代工厂真正稀缺的是先进制程产能、逻辑芯片。国内没办法,没有光刻机。

DRAM与闪存个存储颗粒的生产工厂投资分别需要大约500-1000亿元以上,还需要两三年建设与爬坡周期。

最关键是,专利很难搞,逃不开。需要相互许可,比如三星海力士镁光铠侠长鑫长江存储等等有一两家公司同意专利授权给你。它们同意授权,你花大钱买,年年付费。

发布于 北马其顿