独家：SK海力士将在中国将NAND产量增加50%

SK海力士正在恢复其位于中国大连的第二座NAND闪存工厂的建设，将其本地生产能力扩大约50%。大连Fab 2的建设于四年前开始，但由于存储市场低迷而长期暂停。SK海力士计划在年底前开始安装半导体生产设备，并于明年上半年将该工厂全面投入运营。

根据半导体行业消息人士8月11日的消息，SK海力士的NAND子公司Solidigm在今年上半年恢复了对大连Fab 2的投资并重新启动建设。生产设备预计最早于11月开始搬入，该工厂计划于明年上半年建立量产体系并开始制造NAND闪存。新产线据报道设计用于每月约50,000片晶圆的投入产能。结合现有大连Fab 1每月100,000片的产能，这将使SK海力士的本地生产能力增加约50%。

在大连的投资在中断四年后再次推进，这是因为人工智能数据中心的扩张推动了企业级固态硬盘的需求激增，使NAND价格飙升至一年前的近10倍。SK海力士在2021年收购英特尔的NAND业务后推出Solidigm，接管了大连Fab 1及其周边场地，并在次年5月开始Fab 2的建设。然而，存储市场低迷以及美国对中国半导体制造设备的出口限制使进展停滞，仅完成了工厂的结构框架。

通过大连Fab 2的建设，SK海力士正在推行双轨NAND生产和销售策略。该公司计划在大连使用成熟技术制造低层NAND，同时将先进、高层数NAND的生产集中在清州。大连预计将专注于基于英特尔成熟浮栅架构的100层级NAND的生产力提升，而300层以上的NAND生产预计将集中在国内设施，如清州的M17工厂。

该公司此前宣布，将向清州M17工厂投资19.1万亿韩元，计划在2028年底前开放其第一个洁净室，并在那里制造下一代NAND产品。一位行业消息人士表示：“大连Fab 2计划使用与Fab 1相同的设备配置。”“据我了解，其每月晶圆投入产能将在40,000至60,000片之间。”