长电科技TSV技术取得重要突破，国产先进封测加速突围

长电科技完成高深宽比TSV硅通孔技术样品试制。
TSV是2.5D/3D先进封装的核心工艺，简单理解就是在芯片内部打造垂直高速通道，实现芯片像积木一样垂直堆叠，是AI高算力芯片的关键底层技术。

本次技术参数：孔径1.5微米，深度17微米，深宽比达11.3:1。随着AI芯片性能不断迭代，单纯依靠平面晶体管提升性能愈发受限，TSV正是实现芯片高密度垂直堆叠的核心桥梁。

该突破标志国产封测，从传统封装代工，向AI高端芯片核心制造环节迈进。

需要注意的是目前仅完成样品试制，距离大规模量产仍有周期。