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26-08-24 12:36 微博认证:浙江省遂昌金矿有限公司经济师,工程师 职业投资人 财经观察官

#a股##芯片# 【三星制定“三阶段HBM路线图”:迈向真正的3D ZHBM 将DRAM直接堆叠在计算芯片上】

近日,在Hot Chips技术大会上,三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲,正式披露三星HBM演进的三阶段路线图。这一路线图的终点,是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上,彻底取消2.5D中介层。

据wccftech 8月23日报道,三星方面表示,相较于标准HBM4E,zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升,以及每个DRAM模组节省100W功耗,同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。三星在演讲总结中表示:"通过掌握先进封装与统一SoC-DRAM协同设计,我们将突破制约AI系统的功耗、面积与容量瓶颈,为未来数年更高效率、更高性能、更强可扩展性铺平道路。"(华尔街见闻) http://t.cn/z8ADYQE

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