【#SemiAnalysis：NAND制造正「由钨转钼」# ，这些企业有望受惠】

3D NAND闪存持续向更高堆叠层数迈进，制程材料也迎来关键转变。半导体产业研究机构SemiAnalysis周日（23日）在X平台发布文章指出，当3D NAND堆叠层数突破约300层后，传统以钨（Tungsten，W）制作的字线（word line）逐渐面临物理与制程限制，钼（Molybdenum，Mo）可能成为高层数NAND不可避免的材料选择。
SemiAnalysis认为，从钨转向钼并非单纯的制程优化，而是300层以上NAND发展下的必要转型。
3D NAND约在10年前逐渐停止通过水平微缩提升密度，转而依靠垂直堆叠更多存储器层数增加单位面积的存储容量。http://t.cn/AXpo2m2V