【新型碳化硅 SiC 晶体管问世，可在 600℃ 高温下工作】科技媒体 Tom's Hardware 昨日（8 月 24 日）发布博文，报道称京都大学研究团队研发出新型碳化硅（SiC）晶体管，采用标准离子注入工艺制造，可在 600℃（873 K）下工作。 |京都大学研究团队|碳化硅晶体管|京都大学_新浪新闻

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26-08-25 13:24 微博认证：IT之家（www.ithome.com）官方微博

【新型碳化硅 SiC 晶体管问世，可在 600℃ 高温下工作】科技媒体 Tom's Hardware 昨日（8 月 24 日）发布博文，报道称京都大学研究团队研发出新型碳化硅（SiC）晶体管，采用标准离子注入工艺制造，可在 600℃（873 K）下工作。