#全球首个6nm晶圆级垂直堆叠芯片# 全球首款6nm晶圆级垂直堆叠芯片正式问世。该芯片采用先进混合键合工艺，实现业界领先的1.4微米键合间距，彻底打破端侧AI计算的“内存墙”瓶颈。其内存带宽高达1.22TB/s，是传统旗舰手机的16倍，端侧大模型推理速度最高可达330TPS。这一硬核技术突破，将为全生态AI算力底座提供强大支撑，预计于明年正式商用。
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麻清楚