苹果的每一枚 NAND 颗粒里面都有一枚自研的存储控制器芯片，最新一代的主控是 Apple S6E，内置双核的 Swift 架构 CPU，频率 500MHz，台积电 N7 工艺制造，内置 ECC 纠错引擎，S6E 主控支持 PCIe Gen 4 和 Gen 5 两种模式运行（上一代 S5E 主控是 PCIe Gen 3 和 Gen 4）。

在 iPad 或者 Mac 上，苹果提升存储容量和速度的做法是将多枚颗粒以 RAID 0 的形式连接起来，以前 S5E 的时候，单枚 NAND 颗粒最大容量为 1TB，要做 8TB 存储就需要 8 片 NAND 组成 RAID 0 才能实现，接口速度就是 PCIe 4.0 ×8，等效于 PCIe 5.0 ×4 或 PCIe 6.0 ×2。

而到了 S6E，单枚 NAND 颗粒最大容量提升到 2TB，并且可以运行在 PCIe 5.0 模式下，那么实现同样的 8TB 容量，只需要 4 片 2TB 的颗粒组成 PCIe 5.0 ×4 就可以了，由于 M5 Ultra 芯片内部是有更多的 PCIe 通道，可以重演以前的操作，上 8 片 1TB 的颗粒，就能做到 PCIe 5.0 ×8，等效于 PCIe 6.0 ×4，实现存储速度翻倍。

对了，苹果昨晚发布的 2026 款 Mac Studio 新闻稿来看，苹果在最初的新闻稿中写的是“with a next-generation SSD architecture built on PCIe Gen 6”，但现在再去看新闻稿，已经把“built on PCIe Gen 6”这句话去掉了，结合这些变化，可以合理推断 M5 Ultra 的这个最高两倍的读写速度，就是通过这种方式实现的。

配图：Mac Studio 2026 新闻稿关于存储速度的描述