Hana Securities：CXMT 在 2026 年第二季度完成了北京 Fab 1 向第四代工艺的过渡，该工艺大致相当于 16nm 节点。预计良率已超过 90%。其 DDR5 产品目前支持最高 5,600MHz 的速度，未来计划扩展至 6,400MHz。

然而，由于依赖多重图案化技术，CXMT 需要更多工艺步骤，因此在晶圆每位输出和制造成本等领域仍落后于领先的存储制造商。

对于 HBM，CXMT 目标是在 2027 年实现 12 层 HBM3E 的量产。如果该公司能够在 2027 年生产约 300–400 万个 HBM3E 堆栈，这将足以显著缓解中国 AI GPU 的关键瓶颈之一。