【SK海力士回应“考虑委托英特尔制造HBM内存基础裸片”报道：部分内容不实】 《韩国先驱报》当地时间今日报道，SK海力士正考虑实现先进HBM基础裸片（Base Die）的供应商多元化。报道称英特尔代工最早有望在HBM4E世代加入相关供应链，结束台积电独占该部分订单的局面。据悉HBM1到HBM3E阶段，使用和DRAM Die同款的存储半导体工艺即可满足Base Die逻辑电路需求，SK海力士从HBM4开始将Base Die切换为逻辑半导体工艺，其HBM4的相关部件采用台积电12nm制程，台积电该产品报价显著高于SK海力士自产DRAM Die的成本，引入第二供应商可提升SK海力士对台积电的议价能力。SK海力士回应称难以确认自身技术路线图相关内容，报道部分内容与事实不符。
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