【质子辐照GaN衬底上热稳定GaN射频HEMT：面向低噪声应用的新路径】 氮化镓（GaN）射频高电子迁移率晶体管（HEMT）是下一代5G/6G通信、卫星通信与雷达系统的核心器件，但其性能高度依赖衬底质量。传统异质衬底（Si、SiC）存在高密度穿通位错，而铁/碳掺杂制备半绝缘GaN自支撑衬底工艺复杂、易引入杂质散射。深圳大学刘新科特聘教授团队联合中核高通同位素、华南师范大学、大阪公立大学及台湾长庚大学等合作者，提出利用质子辐照在GaN自支撑晶圆上制备半绝缘衬底的新方案，并成功研制出面向低噪声应用的GaN-on-GaN射频HEMT。其中，GaN衬底的方块电阻达5.9×107 Ω/sq，该器件在300~375 K温区内保持热稳定，最小噪声系数低至0.25 dB，兼具高线性度与量产潜力，为卫星通信、户外基站等苛刻环境应用提供了新思路。相关研究成果以“Thermally stable GaN RF HEMTs on proton irradiated GaN substrates for low-noise applications”为题发表于《Applied Physics Letters》129, 043502 (2026）。

http://t.cn/AX02MPCr