【#台积电、三星将导入ASML High-NA EUV#，光掩模尺寸拟从6英寸升级至12英寸】#台积电##三星##asml#

ASML已获得多家头部芯片制造商对其最新High-NA EUV光刻设备的采用承诺。三星电子计划到2028年将High-NA EUV用于大规模生产，台积电则计划自2030年起导入，加入已经采用相关设备的英特尔阵营。单台High-NA EUV设备价格可达4亿美元。http://t.cn/AX03zCcx