【小巧、轻便、高效，安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能】在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直GaN的GaN层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。http://t.cn/AX034FiT #张国斌的芯发布#
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